深さ450 μmのピラー加工｜サムコ株式会社

ボッシュプロセスによるSiの深掘り

シリコン深掘り装置RIE-800iPBにより、□30 μmのパターンで深さ450 μmのピラーを形成しています。トップからボトムまで膜剥がれが発生することなく加工できています。

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